从2018年开始,NAND闪存价格已出现疲软,并将持续到2019年,而DRAM内存价格在三季度也由涨转跌,三大存储器厂商纷纷进行业务调整。
12月19日,美国存储器大厂美光公司发布了截至11月29日的2019财年一季度财报。报告显示,美光当季营收79.1亿美元,同比增长16%,净利润32.9亿美元,同比增长23%。不过,由于营收和下季度业绩展望低于分析师预期,美光股价在盘后下跌近9%。
美光预计,2019年DRAM和NAND需求将减弱,因此下调了第二财季的营收,预计为57亿到63亿美元之间,低于分析师预期的73亿美元。美光公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在随后的电话会议上表示,“我们正采取果断行动,包括大幅降低2019财年资本开支”,减少NAND 及DRAM产量以维持价格。
在美光之前,其在韩国的竞争对手三星和SK海力士也进行了调整。SK海力士此前表示,为了应对2019年NAND 及DRAM价格下跌的趋势,该公司决定自2018年底前开始减少投资规模,并将监控调整2019年的产能。
全球最大的存储器厂商三星也表示,将放缓存储器半导体业务的扩张步伐。据了解,三星2018年下半年原计划对DRAM及NAND Flash进行新投资,但现在或将延至2019年,取而代之的是对现有产线进行补强投资。
目前,三星、SK海力士、美光在DRAM产业的市占率达到90%以上。在暴涨了近两年后,存储器价格终于下跌。
自2016年以来的存储器价格持续上涨让三星打败了英特尔,成为全球最大的半导体厂商。
中国是世界上最大的集成电路市场,占全球份额一半以上。受存储芯片涨价影响,中国2017年进口存储芯片889.21亿美元,同比2016年的637.14亿美元增长39.56%。
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新报告指出,随着64/72层3D NAND生产良率渐趋成熟及供给持续增加,第三季NAND Flash供给稳定成长。
但受中美贸易摩擦影响,加上英特尔CPU缺货、苹果新机销售不如预期等因素,导致旺季不旺。自年初以来的供给过剩仍难以消弭,NAND Flash各类产品合约价仍走跌,第三季平均价格跌幅达10-15%。
展望第四季度,DRAMeXchange分析师叶茂盛指出,由于欧美节庆备货已大致完成、模组厂及各OEM节制库存,以及中美贸易摩擦持续进行,导致需求持续走弱,预计第四季仍维持供过于求态势,各类产品合约价跌幅加剧。
对于DRAM,该机构称,10月份的DRAM合约价已经正式走跌,除了宣告DRAM价格涨势告一段落,供过于求加上高库存水位的影响更导致价格跌幅剧烈。
预期在供给端、渠道端、采购端库存尚未完全消化前,2019年第一季的合约价恐将面临更大的跌价压力。
Sanjay在电话会议上也表示,DRAM价格疲软的态势将持续。“由于DRAM价格长期上涨,我们认为部分客户的库存高于正常情况。随着DRAM供应赶上需求,这些客户正在降低库存水平。”
他指出,智能手机业务部门的需求也在继续减弱。此外,英特尔CPU短缺的影响也在持续。 “虽然我们的客户以及市场对工业、云、企业等细分市场的需求是稳健的,但此次库存调整期将导致DRAM的需求疲软,并将可能会持续到2019年上半年。”
最近两个季度以来,由于去库存状况良好,存储行业看到复苏信号,美光业绩亦触底反弹,台湾地区的地震恐将会对存储市场和美光业绩的反弹带去一定的抑制作用。
分析预计,受先进技术及新兴市场应用的拉动,预计今年存储市场规模将同比提升至42%以上。目前看来,尽管在NAND闪存赛道中美光在产能和市场应用方面不及三星电子,但是西安新工厂的建设有望为美光在DRAM的赛道上抢占中国新能源汽车等市场的先机,从而加速追赶三星在头部的市场地位。
据媒体报道,英伟达为了确保高宽带内存稳定供应,已向SK海力士和美光支付数亿美元的预付款,等同已确定供应合约。三星电子近期 也结束产品测试,与英伟达签订HBM产品供应协议。HBM产业风口已至。A股市场上,存储芯片题材近日出现反弹。
美光和福建晋华日前的和解可被视为是美光释放善意的又一举动。
业绩指引大超预期美光大涨超8%带动存储概念集体走强,佰维存储、聚辰股份、香农芯创、亚威股份、万润科技等集体拉升 。短剧概念股大跌,其中横店影视、天威视讯、因赛集团均跌逾8%。