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中微半导：即将推出首款非易失性存储器芯片
中微半导公告，公司近日即将推出首款非易失性存储器芯片，该产品为4Mbit容量的低功耗SPI NOR Flash，存储阵列共2048个可编程页，每页容量为256字节，单次可编程写入数据量最高可达256字节，支持多种擦除模式，具有低成本、低功耗、SPI高速读写、掉电不丢失特点，适配小存储需求场景。本次新产品的发布，是公司实施“MCU+”战略的最新成果，填补了公司在Flash领域的产品空白，标志着公司正式向Flash领域迈出实质性一步。
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