美光宣布超2500亿美元本土投资计划，开盘涨超7%

韩国存储厂商宣布本土投资计划后，美光科技（MU.O）也宣布了在美国本土的投资计划。

当地时间7月9日，美光科技宣布，公司计划2035年前在美国投资超过2500亿美元。最新计划比该公司去年6月公布的2000亿美元大幅提升。

据美光科技介绍，此次追加投资的目的包括实现一项长期目标，即将其DRAM（动态随机存取存储器）产量的40%放在美国本土生产。

2500亿美元投资将用于一些工厂建设计划，例如在美国爱达荷州博伊西建设第二座前沿存储芯片制造工厂、扩建弗吉尼亚州马纳萨斯的一处制造设施。此外，还有数百亿美元将用于技术研发。

包含在这项投资计划内，美光科技还宣布，计划在美国投资高达30亿美元，用于强化美国半导体供应链生态系统，打造未来技术创新必需的关键半导体制造能力，并满足AI及其他数据密集型应用对先进存储日益增长的需求。

30亿美元中有5亿美元是对环球晶圆（GlobalWafers）公司提供的战略融资支持，这次融资将用于推进得克萨斯州谢尔曼市环球晶圆美国分公司300mm原始硅晶圆制造工厂的开发和产能建设。两家公司还签订了一项为期10年的供应协议，以确保美光科技获得充足的原始硅晶圆产能。

此外，据美光科技介绍，公司与环球晶圆还计划就下一代晶圆技术和工艺创新展开合作。

7月9日开盘，美光科技涨超7%，市值1.2万亿美元。

美光科技宣布最新投资计划前，6月29日，韩国政府联手三星、SK集团公布了总计4755万亿韩元的企业国内投资计划，围绕半导体、物理AI、AI数据中心三类核心超级项目。韩国西南部计划投资800万亿韩元（约5180亿美元）建设四座半导体制造厂，三星电子（005930.KS）和SK海力士（000660.KS）计划各建两座。

具体至企业，SK海力士计划投资1100万亿韩元扩大DRAM和NAND闪存供应。三星计划在光州投入400万亿韩元新建一座晶圆制造厂，三星电子计划在天安、温阳投入56万亿韩元新建HBM（高带宽内存）厂。

三星电子、SK海力士、美光科技是全球最大的三家DRAM原厂。这些最新宣布的投资计划显示，国际DRAM原厂决心扩张存储产能，并有意增强本土制造能力。

TrendForce集邦咨询分析师许家源告诉记者，各供应商陆续释出产能扩张计划，最终各供应商的市场份额将视扩产计划的落实情况及客户组成而定。

中国DRAM厂商长鑫科技则已启动科创板IPO发行程序，该公司拟首发募资295亿元，将募集资金用于DRAM存储器技术升级项目、前瞻技术研究与开发项目，并投入存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目。