三星电子：HBM5将采用2纳米GAA工艺，速度较HBM4E提升50%以上

据报道，三星电子半导体事业部技术开发室长具子铉在接受采访时表示，预计下一代HBM5内存的运行速度将比HBM4E快50%以上。“HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔（TSV）”，具子铉称。