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据报道,SK海力士公司计划投资54万亿韩元(380亿美元)扩建其在韩国的芯片制造工厂,以迅速将其产能翻番,并缓解全球内存芯片短缺的问题。为应对“人工智能时代对存储器不断增长的需求”,该公司将在龙仁新建一座DRAM制造厂,并在清州新建一座NAND制造厂。SK海力士计划于明年7月启动龙仁项目,并于2月启动清州扩建项目,投资期将持续到2031年4月。
SK海力士因现金储备激增,以“超级买方”身份大规模买入韩国企业债。
HBF的诞生可能改变存储竞争格局,闪迪已计划今年年底向客户提供首批HBF样品。
业内已经在加速向LPDDR6迭代。
此次反弹是“超跌反弹+流动性缓解”的结果,底部是否真正形成尚待观察。HBM4正进入爆发式增长阶段以及半导体制造本土化的趋势值得关注。
宇树机器人、CPO、存储器、算力租赁、网络安全题材活跃。银行股表现不振。市场近4700股上涨。