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涉专利侵权!中国最大闪存芯片制造商长江存储在美起诉美光

第一财经 2023-11-11 20:40:12 听新闻

作者:郑栩彤    责编:李娜

长江存储在起诉书中提到,美光使用长江存储的专利技术,以抵御来自长江存储的竞争。

11月11日,第一财经记者从美国加利福尼亚北区法院公布的信息了解到,长江存储已于11月9日起诉美光科技有限公司(下称“美光”)及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其8项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称,诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。

长江存储是国内最大的3D NAND Flash(闪存芯片制造)厂商。长江存储在起诉书中提到,美光使用长江存储的专利技术,以抵御来自长江存储的竞争,并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面:美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash(闪存)市场来阻止竞争和创新。

长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的专利。美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3D NAND产品。

长江存储在以上起诉书中称,长江存储不再是新秀(upstart),而已成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储表示,去年11月,分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论:长江存储是3D NAND闪存领域的领导者,超过了美光。

NAND Flash和DRAM是目前最主要的两种存储介质,NAND Flash可制造SSD(固态硬盘)等存储器,用于手机、服务器、PC等产品。集邦咨询数据显示,今年第二季度,全球NAND Flash品牌厂商中,三星、铠侠、SK Group、西部数据、美光的市占率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%,其他厂商占比仅3.8%。

2018年,长江存储量产第一代32层3D NAND Flash芯片,2019年量产64层256Gb TLC 3D NAND闪存,2020年跳过96层研发两款128层闪存产品。长江存储此前还推动扩产。集邦咨询分析称,2022年第三季度,受长江存储扩大笔电Client SSD出货等影响,价格战日益激烈,原厂不得不拉大议价空间,吸引客户提高订单数量。

2022年10月,美国商务部工业和安全局发布出口管制新规,限制对中国出口芯片制造设备等,将长江存储NAND Flash芯片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月,美国又将长江存储纳入出口管制“实体清单”。

除NAND Flash外,美光也是主要的DRAM生产商之一。2016年,生产DRAM的另一大存储芯片厂商福建晋华与联电签署技术合作协议,开发DRAM相关制程技术,在福建晋江投资56.5亿美元建设一条12英寸晶圆厂生产线。2017年,美光在美国起诉晋华与联电,称晋华员工窃取其知识产权交给晋华。2018年,美国商务部又将晋华列入出口管制“实体清单”。

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