华尔街到陆家嘴精选丨美股创新高后迎超级央行周 哪些风险需要警惕？存储芯片市场涨价潮继续 国内存储产业链积极应对

① 美股创新高后迎超级央行周 政策博弈与风险交织

美股上周五收高，三大股指均历史新高，道指史上首次收在47000点上方。美国9月CPI报告显示通胀状况温和，提振了投资者的乐观情绪。市场认为美联储可以维持其降息路径，从而促进经济并证明股票更高估值的合理性。本周，全球市场迎来政策与事件“超级密集期”。中美经贸磋商持续进行，金融街论坛释放政策信号，美联储、欧央行、日央行同日公布利率决议，APEC峰会聚焦亚太合作。美国政府停摆使核心通胀数据发布存悬念，数据真空与政策博弈交织放大市场波动。投资者需紧盯关键会议声明与磋商进展，捕捉结构性机会。同时需警惕经贸磋商未达成共识、央行内部政策分歧及政府停摆持续超预期等风险。

-洪毅私募基金副总经理周尚晨：央行超级周的政策分化，是全球经济复苏不均的直接体现。美联储的谨慎与部分央行的犹豫，既反映不同经济体的核心矛盾，也给市场带来跨境资本流动、资产估值重构的挑战。对投资者而言，需放弃 “全球政策同步” 的惯性思维，聚焦各央行政策逻辑与经济数据的匹配度；对市场而言，短期波动难免，但长期仍需看政策能否切实适配经济基本面，避免因短期博弈忽视长期趋势。

② 存储芯片市场涨价潮继续 国内存储产业链积极应对

当下，存储芯片市场正经历由AI驱动的全面缺货与涨价潮。三星电子、SK海力士等主要内存供应商，将在今年第四季度继续向客户调整报价。幅度上，包括DRAM和NAND在内存储产品价格将上调高达30%，从而顺应AI驱动的存储芯片需求激增趋势。部分存储芯片客户正与三星和SK海力士洽谈签订2至3年长期供应协议。目前三星正在加紧推进HBM4的研发，计划于10月27日至31日进行发布。此轮涨价始于上半年，核心原因是AI需求爆发，尤其是HBM需求，打破传统供需平衡。原厂产能优先分配给高阶Server DRAM和HBM，挤压了传统消费电子所需旧制程产品供给，如DDR4紧缺或持续到2026年上半年。资本市场对此反应热烈，A股存储芯片概念股表现强劲。国内存储产业链积极应对，模组厂囤货待涨，芯片设计公司和分销商依靠产业链价格传导。同时，国产厂商加速拥抱AI新周期，聚焦高附加值领域，如HBM、先进封装和服务器DDR5等。

-洪毅私募基金副总经理周尚晨：本轮存储芯片 “超级周期” 并非简单库存反弹，而是 AI 需求质变与产能结构调整的必然结果。需求端的指数级增长与供给端的结构性收缩形成强共振，推动价格与企业盈利同步攀升。对行业而言，HBM 与 3D NAND 技术迭代决定竞争壁垒；对国内企业，长江存储、长鑫存储正借巨头产能转移之机突破份额。但需警惕消费电子成本传导压力与技术迭代风险，中长期看，AI 推理端需求放量与国产替代将持续支撑周期韧性。

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