长鑫存储第五代平台正式量产

9月20日，长鑫存储在2026世界制造业大会上正式宣布第五代DRAM技术平台实现量产，同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。
G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。

长鑫科技集团股份有限公司副总裁骆晓东表示，作为全球存储产业的核心参与者，未来，长鑫将继续跟紧全球市场的需求，持续推进技术迭代，推出更多高性能、高可靠性的存储产品。（第一财经记者 杨志）