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AI驱动下,存储芯片周期的机遇与风险

第一财经 2026-05-12 17:23:42 听新闻

作者:付一夫    责编:张健

存储芯片近期价格持续飙升,主要是由 AI 技术革命引发的结构性需求爆发与供给端产能扩张滞后所导致的供需错配共同驱动。

(本文作者付一夫为苏商银行特约研究员)

一、何为存储芯片?市场格局与周期演变

顾名思义,存储芯片是数据存储的重要载体,也是芯片半导体产业当中极为重要的一环,应用范围广且市场占比高,其规模长期占整个集成电路市场的1/4,仅次于逻辑芯片,为集成电路第二大细分市场。

品类层面,根据断电后存储的信息是否保留,存储芯片可以分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片,其中易失性存储芯片的代表性产品有DRAM和SRAM,非易失性存储芯片则是以NAND Flash和NOR Flash为主流。而在市场层面,国外厂商凭借先发优势以及在终端市场的品牌优势,占据了大部分的市场份额,行业头部厂商三星电子、美光科技、SK海力士、闪迪、西部数据等已经在各自领域形成了寡头垄断的竞争格局。

由于存储芯片标准化程度高,可替代性强,带有大宗商品属性,其价格受下游需求的影响较为敏感,因此具备极为明显的周期性。自2012年以来,存储芯片行业大体经历了四轮涨跌周期:

第一轮(2012~2015):由于iPhone 4/4s的横空出世,智能手机行业被引爆,拉动了市场对于存储芯片的需求,各大存储厂商纷纷扩产,致使市场供过于求,价格由涨转跌,随即步入下行周期。

第二轮(2016~2019):随着安卓手机实力的日益增强,市场又开启了一轮提升内存和存储空间的追逐战,其间三星、SK海力士、美光等主要存储厂商纷纷将产能转向3D NAND,DRAM在需求提振同时面临产能不足,导致价格上涨。而后的周期下行主要是各大厂商3D NAND扩产后,PC、服务器端需求动能不足,整体上出现供大于求的局面。

第三轮(2020~2023):2020年初,全球公共卫生事件的爆发引发居家办公需求的大幅度增加,继而拉动PC、服务器等市场需求量的提升;而5G终端的更新也为存储下游增长开辟出新的空间。但受到公共卫生事件反复、国际形势不确定性增强等多方面原因,下游需求持续疲软,叠加行业库存产能严重过剩,致使存储芯片价格持续下跌,部分细分领域产品甚至在2023年突破历史低点。

第四轮(2024年至今):自2024年起,受一系列因素影响,存储芯片价格开始步入上行区间。进入2025年以来,国际巨头纷纷宣布提价,其中美光率先打响了“第一枪”,宣布产品价格上调20%到30%;紧接着,闪迪也跟风喊出10%的涨幅,随后行业就像多米诺骨牌被推倒一般,三星、SK海力士、铠侠等巨头纷纷表态,宣布将对自家存储芯片产品的价格进行上调。

进入2026年,涨价浪潮不仅未见平息,反而愈演愈烈。TrendForce最新数据显示,2026年第一季度全球常规DRAM合约价环比上涨90%~95%,服务器DRAM涨幅约90%,NAND Flash合约价也上涨了55%~60%。

值得注意的是,这种涨势并未出现停歇迹象,多个机构预测二季度将继续加速,DRAM合约价预计环比再涨58%~63%,NAND闪存合约价环比涨幅甚至可能高达70%~75%。花旗更是大胆预测,2026年全年DRAM平均售价将上涨88%。

二、涨价核心动因:AI需求爆发与供需格局调整

近期存储芯片市场的持续涨价,背后主要有两大核心原因。

(一)AI需求爆发催生结构性需求变革

本轮存储芯片涨价的根本动力,来自AI技术革命带来的需求结构性变化。与传统消费电子需求不同,AI应用对存储芯片的性能和容量提出了更高要求,尤其是高带宽内存(HBM)和服务器DRAM需求呈现井喷式增长。

据TrendForce集邦咨询数据,2025年AI服务器对HBM的需求量从2024年的30万颗激增至120万颗,增长率高达300%。单台AI服务器的DRAM配置容量可达传统服务器的8至10倍,企业级NAND闪存在AI训练和推理场景中的消耗量更是呈指数级攀升。更有机构指出,2026年全球生产的内存中高达70%将被数据中心消耗,预计到2028年的产能已被预订一空。

值得关注的是,本轮AI存储需求正在从以“训练”为主加速转向“推理”驱动的结构迁移。IDC数据显示,2026到2030年本地AI推理场景的存储需求预计将从0.5ZB增长到25ZB,实现50倍的增长。而随着大模型从实验室训练全面进入生产生活应用,我国日均Token调用量已从2024年的1000亿飙升至2026年3月的140万亿,两年增长超过千倍,背后是对算力与存储资源的规模级消耗。与此同时,推理上下文窗口的持续扩大对内存容量提出更高要求——美光高管坦承,若内存不足则需指数级重复计算,而足够的内存可将GPU算力利用率提升至平方倍。美光表示全球晶圆厂产能已跟不上需求,公司正在全球同步建设五座晶圆厂。

在端侧AI应用层面,2026年大模型本地化部署趋势日益明显。从千亿参数大模型的本地化部署方案,到搭载AI推理能力的终端设备大规模涌现,边缘计算对LPDDR、UFS等低功耗高密度存储产品的需求正在快速增长。例如,英特尔最新推出的Panther Lake处理器可在本地环境以35B参数的大模型跑出50 TPS的推理速度,大模型从云端走向端侧,正在催生长达数年的长周期存储需求。

从全球存储巨头的业绩表现中,可以最直观地看到AI需求驱动带来的冲击。

韩国方面,2026年第一季度,SK海力士营收52.58万亿韩元,营业利润37.61万亿韩元,净利润40.35万亿韩元,同比分别增长198%、405%和398%;三星电子交出史上最强季报,营业利润57.2万亿韩元,同比暴增756%。

美国方面,存储巨头闪迪2026财年第三财季营收59.5亿美元,环比大增97%,净利润36.75亿美元,环比大增280%。

而在我国,存储模组龙头江波龙一季度净利润38.62亿元,同比激增2644.05%;存储设计公司兆易创新一季度净利润14.61亿元,同比增长522.79%;佰维存储一季度净利润28.99亿元,同比增长1567.85%。

(二)供需格局调整引发结构性紧缺

不同于历史上消费电子周期中供给快速扩张、需求短暂爆发后迅速回落的情况,本轮存储涨价背后蕴含着更深层次的供需格局结构性调整。

从需求端来看,AI相关应用对存储的消耗是持续性、爆发性和不可逆的。Meta、谷歌、微软等全球科技巨头近期披露的财报纷纷继续上调AI资本开支预期,美银证券预计2026年全球超大规模云计算厂商资本开支将超过8000亿美元。与此同时,下游消费电子市场也在同步复苏——2025年全球智能手机、PC出货量同比分别增长5.2%和7.8%,叠加汽车电子、工业控制等领域的需求增加,多领域共振使得供需缺口持续扩大。需求同比增长约20%~22%,而产能扩张仅约15%~17%,缺口在结构上无法被有效填平,新产能大规模释放普遍推迟至2027~2028年后。

从供给端来看,三大原厂(三星、海力士、美光)的扩产节奏亦是严重滞后于需求增长,主要体现在三个方面:

其一,存储芯片行业经历了2023年的深度下行周期,头部厂商在低谷期主动削减成熟制程产能,导致行业整体库存处于历史极低水平——SK海力士DRAM和NAND库存已降至仅相当于约4周出货量的极低水平;

其二,晶圆厂从建设到量产通常需要多年时间,单座先进晶圆厂建设成本可超过200亿美元,建设周期长达数年的产业特性决定了供给弹性极小;

其三,头部厂商正将大量产能从消费级产品优先转向高毛利的AI相关产品,三星、SK海力士等原厂商大部分先进产能优先转向HBM、DDR5、企业级SSD等高毛利产品,通用型DRAM和消费级NAND产能被显著挤压。

这种“高端扩产,中低端收缩”的策略,使得传统消费电子市场面临的供应压力反而更大。事实上,高盛早在今年2月的报告中就给出了预测,年内DRAM、NAND、HBM三大品类的供需缺口将分别达到4.9%、4.2%、5.1%,这是过去15年里存储行业最严重的一次供应短缺,且这种短缺局面预计将延续至2027年甚至更久。而在今年举行的英伟达GTC大会上,SK海力士会长崔泰源预测,晶圆供应至少需要4~5年,因此存储芯片供应短缺可能将持续到2030年,供应缺口预计持续高于20%。

上述背景决定了,本轮存储芯片涨价并非短期行为——它是供给端产能扩张的刚性与需求端AI持续爆发所形成的供需错配在价格层面的集中体现。从供需基本面来看,全球存储行业正经历本世纪以来最强劲的上行周期,交银国际等机构认为上行阶段至少将持续至2027年第一季度。

三、AI产业链的“存储革命”正在发生

从更广阔的视角来看,存储芯片在本轮AI产业链变革中所扮演的角色,绝非仅仅是“涨价品种”那么简单。存储已经从AI技术栈的底层支撑,升级为决定AI系统性能、成本与部署可行性的核心变量。

过去,存储芯片在整机物料清单中常被视为边缘元件,成本占比并不起眼。但在大模型训练与推理需求井喷的背景下,存储的重要性已被提升至前所未有的高度。以最新旗舰智能手机为例,存储芯片在整机成本中的占比已从2020年的约8%跃升至15%以上,部分高端AI服务器的存储成本占比更是超过30%。存储芯片的配置直接关系到AI系统的认知能力、功能实现及运行效率,比如在AI推理场景中,若内存不足,模型必须“从头重新计算”,每一轮重新计算所需的算力相当于此前所有轮次的总和,算力需求呈指数级增长。

这便解释了为什么科技巨头不惜重金提前数年预订产能——存储已经成为AI基础设施中的“关键战略资产”。

另外从产业链传导来看,涨价的压力正在向整个电子行业蔓延。联想、戴尔、惠普等PC龙头近期对多款笔记本提价500元~1500元;多款国产新机较上一代涨价100元~600元。存储封测环节同样承压,力成、华东、南茂等存储封测厂近期陆续调升封测价格,涨幅高达三成,且不排除启动第二轮涨价。存储芯片已经从产业链的边缘元件,成长为左右下游终端产品定价的关键因素。

同时值得关注的是,存储技术本身也在迎来代际突破。例如,美光刚刚发布了HBM4产品,带宽是上一代HBM3e的两倍以上;在SSD领域,245TB超大容量企业级SSD已从样品走向批量出货,单台AI服务器的存储需求是传统服务器的8至10倍。PCIe 5.0已全面主流化,顺序读取速度接近或超过14至15GB/s,美光9650系列更已实现PCIe 6.0量产。这些技术演进正在为存储芯片打开更大的价值空间。

从全球竞争格局来看,三星已凭借存储芯片业务的超强表现进入万亿美元俱乐部,与台积电、英伟达一道成为人工智能时代“卖铲”三巨头。不经意间,存储已然从AI浪潮的配角变为与GPU并列的双主角之一。华尔街投研机构Melius Research更是在报告中指出,存储对于客户而言已具有“生存级重要性”——如果AI趋势延续,存储价格上涨趋势可能持续,因为供需关系正发生结构性变化。

四、结论与展望

回望过去两年的存储芯片行业历程,AI需求的结构性爆发和供给扩张的刚性约束,共同构筑了一个罕见的景气周期。本轮周期的根本驱动因素——AI技术的持续突破和大模型的规模化落地,明显具有长期性和确定性,意味着即使价格涨幅在短期内趋于平缓,存储芯片行业的基本面逻辑也已发生了深刻的变化。

展望后市,多家机构认为本轮存储“超级周期”的强度和持续性有望显著超越上一轮周期,随着存储芯片产品的持续涨价,相关厂商的业绩也将得到持续性改善,继而有望引发存储芯片板块业绩与估值的“戴维斯双击”。但同时也需要考虑短期板块涨幅过大的抛压问题,建议对行业进行持续观察但不要盲目追高。

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